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中国3DNAND存储器研发项目取得新进展

文章出处:半岛体育入口 人气:发表时间:2024-02-09 02:47
本文摘要:近日,由国家存储器基地主要分担单位长江存储科技有限责任公司(以下全称“长江存储”)与中国科学院微电子研究所牵头分担的3DNAND存储器研发项目获得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会(ICTechSummit2017)上讲解,32层3DNAND芯片成功通过电学特性等各项指标测试,超过预期拒绝。

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近日,由国家存储器基地主要分担单位长江存储科技有限责任公司(以下全称“长江存储”)与中国科学院微电子研究所牵头分担的3DNAND存储器研发项目获得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会(ICTechSummit2017)上讲解,32层3DNAND芯片成功通过电学特性等各项指标测试,超过预期拒绝。该款存储器芯片由长江存储与微电子所三维存储器研发中心联合开发,在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的率领下,顺利构建了工艺器件和电路设计的整套技术检验,向产业化道路迈进具备标志性意义的关键一步。在大数据市场需求驱动下,存储器芯片已是电子信息领域占有市场份额仅次于的集成电路产品。

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我国在存储器芯片领域长年面对市场需求大而自律知识产权和关键技术缺少的困境,积极开展大容量存储技术的研究和涉及产品研制迫在眉睫。传统平面型NAND存储器在降低成本的同时面对单元间串扰激化和单字位成本增加等技术瓶颈。

谋求存储技术阶跃性的突破和创意,是发展下一代存储器的主流思路。3DNAND是革新性的半导体存储技术,通过减少存储叠层而非增大器件二维尺寸构建存储密度快速增长,从而拓宽了存储技术的发展空间,但其结构的高度复杂性给工艺生产带给全新的挑战。经过不懈努力,工艺团队攻下了高深宽比光刻、低自由选择比光刻、叠层薄膜沉积、存储层构成、金属栅构成以及双曝光金属线等关键技术难题,为构建多层填充结构的3DNAND阵列奠定坚实基础。

图1.3DNAND阵列TEM照片存储器的可靠性是影响产品品质的重要一环,主要评估特性还包括耐久性、数据维持特性、耦合和扰动,国际上在3DNAND领域的公开发表研究结果十分受限。器件团队通过大量的实验和数据分析,找寻影响各种可靠性特性的关键因素,并和工艺团队密切协作,已完成了器件各项可靠性指标的优化,最后顺利构建了全部可靠性参数合格。

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在电路设计层面,填充三维阵列的构建研发面对比平面型NAND更加简单的技术问题,必须融合三维器件及阵列结构特点展开分析和优化。设计团队对三维存储结构展开建模,使用根据层数可调制的编程、加载电压配备,补偿了器件特性随阵列物理结构的产于差异,减少了单元串扰影响。

并且,应用于了诸多创新性的先进设备设计技术,确保了芯片超过产品级的功能和性能指标。3DNAND存储器芯片研发系列工作获得了国家集成电路产业基金、紫光控股、湖北省国芯投资、湖北省科投的大力支持。图2.。


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